PSMN4R5-40BS,118 与 IRL1404STRLPBF 区别
| 型号 | PSMN4R5-40BS,118 | IRL1404STRLPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN4R5-40BS,118 | A-IRL1404STRLPBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Single N-Channel 40 V 3.8 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-262-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 148W | 3.8W(Ta),200W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||
| 输出电容 | 660pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 100A | 160A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 2683pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6600pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 140nC @ 5V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.3V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 4.5mΩ@10V | 4mΩ@95A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6600pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 140nC @ 5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN4R5-40BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.5mΩ@10V 148W 175°C 3V 40V 100A |
￥9.6652
|
0 | 当前型号 | ||||
|
IRL1404STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 160A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AOB1404L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 40V 20V 220A 417W 3.9mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRLR8103VPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 91A(Tc) ±20V 115W(Tc) 9mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
