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PSMN4R4-80BS,118  与  IRFS3207TRLPBF  区别

型号 PSMN4R4-80BS,118 IRFS3207TRLPBF
唯样编号 A-PSMN4R4-80BS,118 A-IRFS3207TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 306W 300W(Tc)
输出电容 700pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 8400pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7600pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7600pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥14.3564
400+ :  ¥11.7675
800+ :  ¥10.2326
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R4-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R4-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 100A

¥14.3564 

阶梯数 价格
200: ¥14.3564
400: ¥11.7675
800: ¥10.2326
0 当前型号
IRFS3207PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 180A D2PAK

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TO-263 N-Channel 80V 20V 105A 250W 4.3mΩ@10V

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±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 180A D2PAK

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