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PSMN4R3-30PL,127  与  IRF3708PBF  区别

型号 PSMN4R3-30PL,127 IRF3708PBF
唯样编号 A-PSMN4R3-30PL,127 A-IRF3708PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB Single N-Channel 30 V 87 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 103W 87W(Tc)
输出电容 500pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 62A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 2400pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2417pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.8V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.3mΩ@10V,6.2mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2417pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 103W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 当前型号
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 6,000 对比
IRLB8748PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.8mΩ@40A,10V N-Channel 30V 92A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.07 

阶梯数 价格
20: ¥4.07
100: ¥3.245
499 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRF3708PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 87W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@15A,10V N-Channel 30V 62A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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