PSMN4R3-30BL,118 与 IRL3803VSPBF 区别
| 型号 | PSMN4R3-30BL,118 | IRL3803VSPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN4R3-30BL,118 | A-IRL3803VSPBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Single N-Channel 30 V 3.8 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 103W | 3.8W(Ta),200W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| 输出电容 | 500pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 1.7V | ±16V | ||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 100A | 140A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 2400pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3720pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 76nC @ 4.5V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 5.2mΩ@4.5V,4.1mΩ@10V | 5.5mΩ@71A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3720pF | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 76nC | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN4R3-30BL,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 5.2mΩ@4.5V,4.1mΩ@10V 103W 175°C 1.7V 30V 100A |
￥8.2153
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0 | 当前型号 | ||||
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IRF1503STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRL2203NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@60A,10V N-Channel 30V 116A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF3709SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),120W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,10V N-Channel 30V 90A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRL3803VSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF1503SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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