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PSMN4R3-100PS,127  与  TK72E08N1,S1X  区别

型号 PSMN4R3-100PS,127 TK72E08N1,S1X
唯样编号 A-PSMN4R3-100PS,127 A-TK72E08N1,S1X
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB MOSFET N-CH 80V 72A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V 80 V
Pd-功率耗散(Max) 338W 192W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.3 毫欧 @ 36A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5500 pF @ 40 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 81 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT78 TO-220
工作温度 175℃ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 72A(Ta)
输入电容 9900pF -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.3mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥19.1558
50+ :  ¥15.9632
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R3-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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