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PSMN4R2-60PLQ  与  IRFB3207ZPBF  区别

型号 PSMN4R2-60PLQ IRFB3207ZPBF
唯样编号 A-PSMN4R2-60PLQ A-IRFB3207ZPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 263W 300W(Tc)
输出电容 703pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A 170A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 8533pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6920pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V,4.3mΩ@4.5V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6920pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥12.29
50+ :  ¥10.0738
暂无价格
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