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PSMN3R8-100BS,118  与  IRFS4010TRLPBF  区别

型号 PSMN3R8-100BS,118 IRFS4010TRLPBF
唯样编号 A-PSMN3R8-100BS,118 A-IRFS4010TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N-Channel 100 V 375 W 143 nC Hexfet Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.7mΩ@106A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 306W 375W(Tc)
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 9900pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9575pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 215nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9575pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 215nC @ 10V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
200+ :  ¥16.4177
400+ :  ¥13.4572
800+ :  ¥11.7019
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
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