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PSMN3R8-100BS,118  与  IPB027N10N3GATMA1  区别

型号 PSMN3R8-100BS,118 IPB027N10N3GATMA1
唯样编号 A-PSMN3R8-100BS,118 A-IPB027N10N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 306W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 14800pF @ 50V
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 275uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 206nC @ 10V
输入电容 9900pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.7 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 120A

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 当前型号
IPB042N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3GATMA1_N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3

暂无价格 1,000 对比
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPB049N08N5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB049N08N5_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FDB035N10A ON Semiconductor 通用MOSFET

120A(Tc) ±20V 333W(Tc) 3.5m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 214A 3.5 毫欧 @ 75A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB027N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB027N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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