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PSMN3R5-30YL,115  与  BSC042N03MSGATMA1  区别

型号 PSMN3R5-30YL,115 BSC042N03MSGATMA1
唯样编号 A-PSMN3R5-30YL,115 A-BSC042N03MSGATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),57W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 74W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4300pF @ 15V
输出电容 532pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
输入电容 2458pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta),93A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.5mΩ@10V,4.61mΩ@4.5V -
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
360+ :  ¥3.9672
1,000+ :  ¥3.2518
1,500+ :  ¥2.8276
暂无价格
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¥3.9672 

阶梯数 价格
360: ¥3.9672
1,000: ¥3.2518
1,500: ¥2.8276
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暂无价格 0 对比

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