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PSMN3R4-30BL,118  与  IPB80N03S4L-03  区别

型号 PSMN3R4-30BL,118 IPB80N03S4L-03
唯样编号 A-PSMN3R4-30BL,118 A-IPB80N03S4L-03
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 114W 136W
Qg-栅极电荷 - 140nC
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V 16V
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS-T2
输入电容 3907pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3.3mΩ@10V,3.8mΩ@4.5V -
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
170+ :  ¥9.0105
400+ :  ¥6.9849
800+ :  ¥5.5632
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¥9.0105 

阶梯数 价格
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