首页 > 商品目录 > > > > PSMN3R3-60PLQ代替型号比较

PSMN3R3-60PLQ  与  IRFB7734PBF  区别

型号 PSMN3R3-60PLQ IRFB7734PBF
唯样编号 A-PSMN3R3-60PLQ A-IRFB7734PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB Single N-Ch 75 V 183 A 3.5 mOhm 180 nC Flange Mount HEXFET Power Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 293W 290W(Tc)
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A 183A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
输入电容 10115pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10150pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.8mΩ@4.5V,3.4mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10150pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥13.1193
50+ :  ¥10.7535
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R3-60PLQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R3-60PL_SOT78 N-Channel 293W 175℃ 1.7V 60V 130A

¥13.1193 

阶梯数 价格
20: ¥13.1193
50: ¥10.7535
0 当前型号
IRFB7734PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 290W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.5mΩ@100A,10V N-Channel 75V 183A TO-220AB

暂无价格 0 对比
DMT6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.3W(Ta),113W(Tc) ±20V TO-220-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
DMTH6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W(Ta),136W(Tc) ±20V TO-220-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
IRFB3256PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 75A(Tc) ±20V 300W(Tc) 3.4mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
IRFB7537 Infineon  数据手册 功率MOSFET

3.3mΩ 60V TO-220 N-Channel 20V 173A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售