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PSMN3R3-60PLQ  与  DMT6004SCT  区别

型号 PSMN3R3-60PLQ DMT6004SCT
唯样编号 A-PSMN3R3-60PLQ A-DMT6004SCT
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 293W 2.3W(Ta),113W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.65mΩ@100A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4556 pF @ 30 V
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 130A 100A(Tc)
驱动电压 - 10V
输入电容 10115pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 3.8mΩ@4.5V,3.4mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥13.1193
50+ :  ¥10.7535
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