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PSMN3R0-60PS,127  与  IRF1010EPBF  区别

型号 PSMN3R0-60PS,127 IRF1010EPBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60PS,127 A33-IRF1010EPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 200W(Tc)
输出电容 971pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 84A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 8079pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥15.6625
50+ :  ¥12.8381
20+ :  ¥11.8343
50+ :  ¥7.1198
100+ :  ¥6.5257
500+ :  ¥6.1328
1,000+ :  ¥6.0561
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78

¥15.6625 

阶梯数 价格
20: ¥15.6625
50: ¥12.8381
0 当前型号
IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥3.718 

阶梯数 价格
20: ¥3.718
100: ¥2.97
1,000: ¥2.75
5,539 对比
AOT470 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 5,000 对比
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 2,000 对比
IRFZ44VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 1,000 对比
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥11.8343 

阶梯数 价格
20: ¥11.8343
50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
1,000: ¥6.0561
1,000 对比

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