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PSMN3R0-60PS,127  与  IRFB3206PBF  区别

型号 PSMN3R0-60PS,127 IRFB3206PBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60PS,127 A3-IRFB3206PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 300W
Qg-栅极电荷 - 120nC
输出电容 971pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 210A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 8079pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥15.6625
50+ :  ¥12.8381
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78

¥15.6625 

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阶梯数 价格
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50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
1,000: ¥6.0561
1,000 对比

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