首页 > 商品目录 > > > > PSMN3R0-60PS,127代替型号比较

PSMN3R0-60PS,127  与  IRFZ44VPBF  区别

型号 PSMN3R0-60PS,127 IRFZ44VPBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60PS,127 A-IRFZ44VPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.5mΩ
Qg-栅极电荷 - 44.7nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 55A
配置 - Single
输入电容 8079pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1812pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 115W
输出电容 971pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1812pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥15.6625
50+ :  ¥12.8381
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A

¥15.6625 

阶梯数 价格
20: ¥15.6625
50: ¥12.8381
0 当前型号
STP55NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 60,000 对比
STP55NF06L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.652 

阶梯数 价格
20: ¥3.652
100: ¥2.926
1,000: ¥2.794
1,995 对比
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,030 对比
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel

暂无价格 1,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售