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PSMN3R0-60BS,118  与  IRLS3036TRLPBF  区别

型号 PSMN3R0-60BS,118 IRLS3036TRLPBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60BS,118 A3-IRLS3036TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4mΩ@165A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 380W(Tc)
输出电容 971pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 270A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 8079pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,200
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥13.2728
400+ :  ¥11.2481
800+ :  ¥10.3194
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60BS_SOT404

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
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