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PSMN3R0-60BS,118  与  IRFS7537TRLPBF  区别

型号 PSMN3R0-60BS,118 IRFS7537TRLPBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60BS,118 A-IRFS7537TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK N Channel 60 V 3.3 mO 230 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 230W(Tc)
输出电容 971pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D²PAK(TO-263AB)
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 173A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 150µA
输入电容 8079pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
200+ :  ¥14.2095
400+ :  ¥11.6471
800+ :  ¥10.128
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 100A

¥14.2095 

阶梯数 价格
200: ¥14.2095
400: ¥11.6471
800: ¥10.128
0 当前型号
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 800 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
314 对比
IRF3805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF3805SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比

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