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PSMN3R0-60BS,118  与  IRF3805STRLPBF  区别

型号 PSMN3R0-60BS,118 IRF3805STRLPBF
唯样编号 A-PSMN3R0-60BS,118 A-IRF3805STRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Single N-Channel 55 V 3.3 mOhm 290 nC 300 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 306W 300W(Tc)
漏源极电压Vds 60V 55V
输出电容 971pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 210A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 8079pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 3.2mΩ@10V 3.3mΩ@75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥17.3445
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 3.2mΩ@10V 306W 175°C 3V 60V 100A

¥17.3445 

阶梯数 价格
800: ¥17.3445
0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥3.822 

阶梯数 价格
20: ¥3.822
100: ¥3.0576
314 对比
IRF3805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@165A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3805SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3

暂无价格 0 对比

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