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PSMN2R8-80BS,118  与  IPB033N10N5LF  区别

型号 PSMN2R8-80BS,118 IPB033N10N5LF
唯样编号 A-PSMN2R8-80BS,118 A-IPB033N10N5LF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 306W -
Rth - 0.45K/W
输出电容 847pF -
栅极电压Vgs 3V 2.5V,4.1V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 72.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 SOT404 D2PAK (TO-263)
Mounting - SMD
工作温度 175℃ -55.0°C
连续漏极电流Id 120A 120A
Ptot max - 179.0W
输入电容 9961pF -
QG - 102.0nC
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
Budgetary Price €€/1k - 1.78
RthJC max - 0.7K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥16.4177
400+ :  ¥13.4572
800+ :  ¥11.7019
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 120A

¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
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