PSMN2R8-80BS,118 与 AOB282L 区别
| 型号 | PSMN2R8-80BS,118 | AOB282L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN2R8-80BS,118 | A-AOB282L |
| 制造商 | Nexperia | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 66 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3.2mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 4.9mΩ |
| Qgd(nC) | - | 21 |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 24 |
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263 |
| 工作温度 | 175°C | - |
| 连续漏极电流Id | 120A | 105A |
| Ciss(pF) | - | 7765 |
| 输入电容 | 9961pF | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 40 |
| Td(off)(ns) | - | 55 |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 306W | 272.5W |
| Qrr(nC) | - | 320 |
| VGS(th) | - | 3.5 |
| 输出电容 | 847pF | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 3mΩ@10V | - |
| Coss(pF) | - | 960 |
| Qg*(nC) | - | 58 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R8-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 80V 120A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPB025N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TO263-3 80V 120A 2.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
AOB290L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS3107TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS3107PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOB282L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 105A 272.5W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
