PSMN2R8-40PS,127 与 IRF2804PBF 区别
| 型号 | PSMN2R8-40PS,127 | IRF2804PBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN2R8-40PS,127 | A-IRF2804PBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Single HexFet 40 V 300 W 240 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 211W | 300W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||
| 输出电容 | 937pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 100A | 280A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 4491pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6450pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 240nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 2.8mΩ@10V | 2.3mΩ@75A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6450pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 240nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R8-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 2.8mΩ@10V 211W 175°C 3V 40V 100A |
￥16.3894
|
0 | 当前型号 | ||||
|
IRL1404ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@75A,10V N-Channel 40V 200A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.3mΩ@75A,10V N-Channel 40V 280A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
