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PSMN2R7-30PL,127  与  IPP80N03S4L03AKSA1  区别

型号 PSMN2R7-30PL,127 IPP80N03S4L03AKSA1
唯样编号 A-PSMN2R7-30PL,127 A-IPP80N03S4L03AKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN2R Series 30 V 2.7 mOhm Logic Level 170 N-Channel Mosfet - TO-220AB MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9750pF @ 25V
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 90uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 10V
输入电容 3954pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.7毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.6mΩ@4.5V,2.7mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥8.7627
50+ :  ¥7.1825
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥8.7627 

阶梯数 价格
20: ¥8.7627
50: ¥7.1825
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