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PSMN2R7-30PL,127  与  IPP80N03S4L-03  区别

型号 PSMN2R7-30PL,127 IPP80N03S4L-03
唯样编号 A-PSMN2R7-30PL,127 A-IPP80N03S4L-03
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN2R Series 30 V 2.7 mOhm Logic Level 170 N-Channel Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 170W 136W
Qg-栅极电荷 - 140nC
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V 16V
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS-T2
输入电容 3954pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3.6mΩ@4.5V,2.7mΩ@10V -
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥8.7627
50+ :  ¥7.1825
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