首页 > 商品目录 > > > > PSMN2R7-30BL,118代替型号比较

PSMN2R7-30BL,118  与  SPB100N03S203T  区别

型号 PSMN2R7-30BL,118 SPB100N03S203T
唯样编号 A-PSMN2R7-30BL,118 A-SPB100N03S203T
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 7020pF @ 25V
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
输入电容 3954pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V,3.7mΩ@4.5V -
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥8.529
400+ :  ¥6.9909
800+ :  ¥6.0791
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R7-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R7-30BL_SOT404 N-Channel 170W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥8.529 

阶梯数 价格
200: ¥8.529
400: ¥6.9909
800: ¥6.0791
0 当前型号
IRF1503STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL3713STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 260A(Tc) ±20V 330W(Tc) 3mΩ@38A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1503SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK

暂无价格 0 对比
SPB100N03S203T Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRL3713STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售