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PSMN2R7-30BL,118  与  IRF1503SPBF  区别

型号 PSMN2R7-30BL,118 IRF1503SPBF
唯样编号 A-PSMN2R7-30BL,118 A-IRF1503SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Single N-Channel 30 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@140A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 170W 200W(Tc)
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 190A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 3954pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V,3.7mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5730pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥8.529
400+ :  ¥6.9909
800+ :  ¥6.0791
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R7-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R7-30BL_SOT404 N-Channel 170W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥8.529 

阶梯数 价格
200: ¥8.529
400: ¥6.9909
800: ¥6.0791
0 当前型号
IRF1503STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL3713STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 260A(Tc) ±20V 330W(Tc) 3mΩ@38A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1503SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK

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SPB100N03S203T Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRL3713STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A D2PAK

暂无价格 0 对比

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