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PSMN2R6-60PSQ  与  IRLB3036PBF  区别

型号 PSMN2R6-60PSQ IRLB3036PBF
唯样编号 A-PSMN2R6-60PSQ A33-IRLB3036PBF-0
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB Single N-Channel 60 V 380 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4mΩ@165A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 326W 380W(Tc)
输出电容 968pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 150A 270A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 7629pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 850
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥14.1762
50+ :  ¥11.6198
6+ :  ¥27.1182
10+ :  ¥21.4646
50+ :  ¥20.7939
100+ :  ¥20.1231
500+ :  ¥19.8356
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R6-60PSQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R6-60PS_SOT78

¥14.1762 

阶梯数 价格
20: ¥14.1762
50: ¥11.6198
0 当前型号
IRLB3036PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥27.1182 

阶梯数 价格
6: ¥27.1182
10: ¥21.4646
50: ¥20.7939
100: ¥20.1231
500: ¥19.8356
850 对比
IRFB7730PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 50 对比
IRLB3036PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥27.1182 

阶梯数 价格
6: ¥27.1182
10: ¥21.4646
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