PSMN2R6-60PSQ 与 IRFB7534PBF 区别
| 型号 | PSMN2R6-60PSQ | IRFB7534PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN2R6-60PSQ | A-IRFB7534PBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB | N Channel 60 V 2.4 mO 294 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.4mΩ@100A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 326W | 294W(Tc) |
| 输出电容 | 968pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 150A | 232A |
| 系列 | - | HEXFET®,StrongIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 250µA |
| 输入电容 | 7629pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10034pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 279nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2.6mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10034pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 279nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R6-60PSQ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 326W 175°C 3V 60V 150A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB7730PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.6mΩ@100A,10V N-Channel 75V 246A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLB3036PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@165A,10V ±16V TO-220AB -55°C~175°C 195A 60V 380W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB7534PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@100A,10V N-Channel 60V 232A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOT260L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 330W 2.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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