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PSMN2R2-40PS,127  与  IRFB3004PBF  区别

型号 PSMN2R2-40PS,127 IRFB3004PBF
唯样编号 A-PSMN2R2-40PS,127 A-IRFB3004PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Single N-Channel 40 V 380 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.75mΩ@195A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 306W 380W(Tc)
输出电容 1671pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 340A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 8423pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.1mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥15.5075
50+ :  ¥12.7111
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R2-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R2-40PS_SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 40V 100A

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 当前型号
IRF1404PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel 333W 4mΩ@121A,10V -55°C~175°C ±20V 40V 202A

暂无价格 1,000 对比
AOT2142L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 N-Channel 312W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~175°C ±20V 40V 120A

¥13.2653 

阶梯数 价格
1: ¥13.2653
100: ¥9.5588
500: ¥8.2278
1,000: ¥6.5
889 对比
STP40NF03L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 70W(Tc) 22mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 30V 40A

暂无价格 0 对比
BUK753R1-40E,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK753R1-40E_SOT78 N-Channel 234W 175°C 3V 40V 100A

¥13.8517 

阶梯数 价格
20: ¥13.8517
50: ¥12.2581
0 对比
IRFB3004PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.75mΩ@195A,10V N-Channel 40V 340A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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