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PSMN2R0-60ES,127  与  IRFSL7530PBF  区别

型号 PSMN2R0-60ES,127 IRFSL7530PBF
唯样编号 A-PSMN2R0-60ES,127 A-IRFSL7530PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 338W 375W(Tc)
输出电容 1210pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT226 TO262
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 195A(Tc)
输入电容 9997pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.2mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13703pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 411nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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