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PSMN2R0-30PL,127  与  IPP055N03LGXKSA1  区别

型号 PSMN2R0-30PL,127 IPP055N03LGXKSA1
唯样编号 A-PSMN2R0-30PL,127 A-IPP055N03LGXKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N chan, 30V, 100A, 2.1 mOhms, TO-220 MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 211W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3200pF @ 15V
输出电容 1410pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
输入电容 6810pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.8mΩ@4.5V,2.1mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.5847
50+ :  ¥9.6539
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R0-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-30PL_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥11.5847 

阶梯数 价格
20: ¥11.5847
50: ¥9.6539
0 当前型号
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 6,000 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.367 

阶梯数 价格
20: ¥4.367
100: ¥3.498
1,000: ¥3.344
1,000 对比
IRL8113 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 105A(Tc) ±20V 110W(Tc) 6mΩ@21A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP055N03LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP055N03L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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