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PSMN1R7-60BS,118  与  IRFS3306PBF  区别

型号 PSMN1R7-60BS,118 IRFS3306PBF
唯样编号 A-PSMN1R7-60BS,118 A-IRFS3306PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 306W 230W(Tc)
漏源极电压Vds 60V 60V
输出电容 1210pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 160A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 9997pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 2mΩ@10V 4.2mΩ@75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥19.6976
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 2mΩ@10V 306W 175°C 3V 60V 120A

¥19.6976 

阶梯数 价格
800: ¥19.6976
0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥3.822 

阶梯数 价格
20: ¥3.822
100: ¥3.0576
314 对比
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@75A,10V N-Channel 60V 160A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3006TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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