首页 > 商品目录 > > > > PSMN1R7-60BS,118代替型号比较

PSMN1R7-60BS,118  与  IPB120N06S402ATMA1  区别

型号 PSMN1R7-60BS,118 IPB120N06S402ATMA1
唯样编号 A-PSMN1R7-60BS,118 A-IPB120N06S402ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 188W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 306W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 15750pF @ 25V
输出电容 1210pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 140uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 195nC @ 10V
输入电容 9997pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 120A

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
188 对比
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB120N06S402ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
AOB260L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 330W 2.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFS3006PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售