PSMN059-150Y,115 与 SIJ494DP-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN059-150Y,115 | SIJ494DP-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN059-150Y,115 | A-SIJ494DP-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 150 V 59 mOhm 27.9 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56 | MOSFET N-Chan 150V PowerPAK SO-8L | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 113W | 69.4W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||
| 输出电容 | 208pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | LFPAK | PowerPAK®SO-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 43A | 36.8A(Tc) | ||
| 系列 | - | ThunderFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 1529pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1070pF @ 75V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 31nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 7.5V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 59mΩ@12A,10V | 23.2mΩ@15A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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PSMN059-150Y,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
LFPAK N-Channel 59mΩ@12A,10V 113W -55°C~150°C ±20V 150V 43A |
￥6.554
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0 | 当前型号 | ||||
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SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 36.8A(Tc) ±20V 69.4W(Tc) 23.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 36.8A(Tc) ±20V 69.4W(Tc) 23.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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