PSMN057-200B,118 与 FDB52N20TM 区别
| 型号 | PSMN057-200B,118 | FDB52N20TM | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN057-200B,118 | A36-FDB52N20TM | ||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK | N-Channel 200 V 0.049 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet D2PAK-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | - | 357W(Tc) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57mΩ@17A,10V | 49 毫欧 @ 26A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 250W | 357W(Tc) | ||||
| 输出电容 | 385pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK(TO-263) | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 39A | 52A | ||||
| 系列 | - | UniFET™ | ||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||
| 输入电容 | 3750pF | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 299 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN057-200B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
IRF640NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A TO-263 |
暂无价格 | 800 | 对比 | ||||||
|
FDB52N20TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK(TO-263) |
￥9.394
|
299 | 对比 | |||||||
|
|
IRFS38N20DTRLP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IRFS4127TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
FDB52N20TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK(TO-263) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
