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PSMN057-200B,118  与  IRFS38N20DPBF  区别

型号 PSMN057-200B,118 IRFS38N20DPBF
唯样编号 A-PSMN057-200B,118 A-IRFS38N20DPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ@17A,10V 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 250W 3.8W(Ta),300W(Tc)
输出电容 385pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 39A 38A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
输入电容 3750pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC
库存与单价
库存 18 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥15.4429
100+ :  ¥11.4392
400+ :  ¥9.6942
800+ :  ¥8.8938
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A

¥15.4429 

阶梯数 价格
10: ¥15.4429
100: ¥11.4392
400: ¥9.6942
800: ¥8.8938
18 当前型号
IRFS38N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF6641 Infineon  数据手册 功率MOSFET

59.9mΩ 200V DirectFET MZ N-Channel 20V 3.7A

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FDB52N20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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