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PSMN057-200B,118  与  IRF6641  区别

型号 PSMN057-200B,118 IRF6641
唯样编号 A-PSMN057-200B,118 A-IRF6641
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ@17A,10V 59.9mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.8W
漏源极电压Vds 200V 200V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 250W -
输出电容 385pF -
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 9.5nC
封装/外壳 SOT404 DirectFET MZ
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~175°C -
连续漏极电流Id 39A 3.7A
Ptot max - 89.0W
输入电容 3750pF -
QG - 34.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 1.38
RthJC max - 1.4K/W
库存与单价
库存 18 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥15.4429
100+ :  ¥11.4392
400+ :  ¥9.6942
800+ :  ¥8.8938
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A

¥15.4429 

阶梯数 价格
10: ¥15.4429
100: ¥11.4392
400: ¥9.6942
800: ¥8.8938
18 当前型号
IRFS38N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

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