PSMN047-100NSE 与 SIA110DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN047-100NSE | SIA110DJ-T1-GE3 |
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| 唯样编号 | A-PSMN047-100NSE | A3t-SIA110DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-channel 100 V, 49.7 mOhm standard level MOSFET in DFN2020 package, designed specifically for high power PoE applications | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | DFN2020 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 功率耗散Pd | - | 3.5W(Ta),19W(Tc) |
| 连续漏极电流Id | - | 5.4A(Ta),12A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 55 mOhms @ 4A,10V |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PSMN047-100NSE | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥2.9218
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8,890 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥3.2006
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1,340 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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