PSMN047-100NSE 与 RF4P060BGTCR 区别
| 型号 | PSMN047-100NSE | RF4P060BGTCR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PSMN047-100NSE | A33-RF4P060BGTCR-2 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-channel 100 V, 49.7 mOhm standard level MOSFET in DFN2020 package, designed specifically for high power PoE applications | Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020 | HUML2020L8 (Single) | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,340 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PSMN047-100NSE | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥2.9218
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8,890 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥3.2006
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1,340 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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