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PSMN026-80YS,115  与  BSC340N08NS3GATMA1  区别

型号 PSMN026-80YS,115 BSC340N08NS3GATMA1
唯样编号 A-PSMN026-80YS,115 A-BSC340N08NS3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56 MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),32W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 74W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 756pF @ 40V
输出电容 120pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 34A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 12uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.1nC @ 10V
输入电容 1200pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 34 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Ta),23A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 27.5mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 80V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
360+ :  ¥2.9688
1,000+ :  ¥2.4334
1,500+ :  ¥2.116
暂无价格
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阶梯数 价格
360: ¥2.9688
1,000: ¥2.4334
1,500: ¥2.116
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