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PSMN017-80PS,127  与  IRF2807PBF  区别

型号 PSMN017-80PS,127 IRF2807PBF
唯样编号 A-PSMN017-80PS,127 A36-IRF2807PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN01 Series 80 V 17 mOhm N-Channel TrenchMOS Transistor - TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13mΩ
Qg-栅极电荷 - 106.7nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 82A
配置 - Single
输入电容 1573pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3820pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 103W 200W
输出电容 154pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3820pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 160nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 17mΩ@10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 160nC @ 10V
库存与单价
库存 0 917
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥6.751
50+ :  ¥5.5336
20+ :  ¥3.828
50+ :  ¥2.948
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN017-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN017-80PS_SOT78

¥6.751 

阶梯数 价格
20: ¥6.751
50: ¥5.5336
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TO-220AB 10mm

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