PSMN017-80PS,127 与 IRF3808PBF 区别
| 型号 | PSMN017-80PS,127 | IRF3808PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN017-80PS,127 | A-IRF3808PBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | PSMN01 Series 80 V 17 mOhm N-Channel TrenchMOS Transistor - TO220AB | Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7mΩ |
| Qg-栅极电荷 | - | 150nC |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 50A | 140A |
| 配置 | - | Single |
| 输入电容 | 1573pF | - |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5310pF @ 25V |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 漏源极电压Vds | 80V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 103W | 330W |
| 输出电容 | 154pF | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 220nC @ 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 17mΩ@10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 220nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN017-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 103W 175°C 3V 80V 50A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 4,850 | 对比 |
|
IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IPP028N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
|
STP40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRF3808PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 140A 7mΩ 20V 330W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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