首页 > 商品目录 > > > > PSMN017-80PS,127代替型号比较

PSMN017-80PS,127  与  IPP100N08N3GXKSA1  区别

型号 PSMN017-80PS,127 IPP100N08N3GXKSA1
唯样编号 A-PSMN017-80PS,127 A-IPP100N08N3GXKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN01 Series 80 V 17 mOhm N-Channel TrenchMOS Transistor - TO220AB MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 103W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2410pF @ 40V
输出电容 154pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 46uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
输入电容 1573pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10 毫欧 @ 46A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 70A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 17mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 80V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥6.751
50+ :  ¥5.5336
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN017-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN017-80PS_SOT78 N-Channel 103W 175℃ 3V 80V 50A

¥6.751 

阶梯数 价格
20: ¥6.751
50: ¥5.5336
0 当前型号
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel

暂无价格 1,000 对比
STP40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 1,000 对比
IPP028N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP028N08N3GXKSA1_80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 500 对比
STP40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP100N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售