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PSMN017-30BL,118  与  IPB11N03LA  区别

型号 PSMN017-30BL,118 IPB11N03LA
唯样编号 A-PSMN017-30BL,118 A-IPB11N03LA
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 52W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 47W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1358pF @ 15V
输出电容 127pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 20uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 5V
输入电容 552pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 23.3mΩ@4.5V,17mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 25V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥8.7525
400+ :  ¥6.8379
800+ :  ¥5.6048
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN017-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN017-30BL_SOT404 N-Channel 47W 175℃ 1.7V 30V 32A

¥8.7525 

阶梯数 价格
180: ¥8.7525
400: ¥6.8379
800: ¥5.6048
0 当前型号
IRL2203NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@60A,10V N-Channel 30V 116A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3709STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 90A(Tc) ±20V 3.1W(Ta),120W(Tc) 9mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL8113S Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 105A(Tc) ±20V 110W(Tc) 6mΩ@21A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB14N03LAT Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB11N03LA Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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