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PSMN015-60BS,118  与  IRFZ34NSTRLPBF  区别

型号 PSMN015-60BS,118 IRFZ34NSTRLPBF
唯样编号 A-PSMN015-60BS,118 A36-IRFZ34NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 86W 3.8W(Ta),68W(Tc)
输出电容 169pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 29A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 1220pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 14.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
库存与单价
库存 0 55
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥5.2387
400+ :  ¥4.4396
800+ :  ¥4.073
9+ :  ¥5.797
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
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0 当前型号
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20: ¥12.1218
50: ¥7.4072
100: ¥6.8131
500: ¥6.4203
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