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PSMN015-60BS,118  与  IRLZ34NSTRLPBF  区别

型号 PSMN015-60BS,118 IRLZ34NSTRLPBF
唯样编号 A-PSMN015-60BS,118 A33-IRLZ34NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Single N-Channel 55 V 0.06 Ohm 25 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 86W 3.8W(Ta),68W(Tc)
输出电容 169pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 30A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 1220pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 14.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 5V
库存与单价
库存 0 1,600
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
210+ :  ¥5.2387
400+ :  ¥4.4396
800+ :  ¥4.073
20+ :  ¥12.1218
50+ :  ¥7.4072
100+ :  ¥6.8131
500+ :  ¥6.4203
1,000+ :  ¥6.3436
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404

¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
400: ¥4.4396
800: ¥4.073
0 当前型号
IRLZ34NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥12.1218 

阶梯数 价格
20: ¥12.1218
50: ¥7.4072
100: ¥6.8131
500: ¥6.4203
1,000: ¥6.3436
1,600 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
IRFZ44NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥3.5163 

阶梯数 价格
1: ¥3.5163
25: ¥3.2558
100: ¥3.0147
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IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥7.557 

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7: ¥7.557
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IRFZ34NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥5.797 

阶梯数 价格
9: ¥5.797
55 对比

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