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PSMN013-100PS,127  与  IRFB4710PBF  区别

型号 PSMN013-100PS,127 IRFB4710PBF
唯样编号 A-PSMN013-100PS,127 A3-IRFB4710PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN Series 100 V 25 mOhm 170 W N-Channel Standard Level Mosfet - TO-220-3 Single N-Channel 100 V 3.8 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 170W 3.8W(Ta),200W(Tc)
输出电容 221pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 68A 75A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
输入电容 3195pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 13.9mΩ@15A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6160pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 5,950
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥9.4602
50+ :  ¥7.7543
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN013-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100PS_TO-220

¥9.4602 

阶梯数 价格
20: ¥9.4602
50: ¥7.7543
0 当前型号
IRF540NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 30,000 对比
IRF3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥2.926 

阶梯数 价格
20: ¥2.926
50: ¥2.255
1,000: ¥1.87
18,131 对比
IRF540NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
50: ¥1.309
1,000: ¥1.089
11,783 对比
IRFB4710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 5,950 对比
IRF3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 5,000 对比

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