PSMN013-100BS,118 与 IRFS4510TRLPBF 区别
| 型号 | PSMN013-100BS,118 | IRFS4510TRLPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN013-100BS,118 | A-IRFS4510TRLPBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK | N-Channel 100 V 13.9 mO 58 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 170W | 140W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| 输出电容 | 221pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 68A | 61A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA | ||
| 输入电容 | 3195pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3180pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 87nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 13.9mΩ@10V | 13.9mΩ@37A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3180pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 87nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 13.9mΩ@10V 170W 175°C 3V 100V 68A |
￥10.4108
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0 | 当前型号 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.392
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883 | 对比 | ||||||
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF8010STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS4510TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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