PSMN012-80BS,118 与 STB120NF10T4 区别
| 型号 | PSMN012-80BS,118 | STB120NF10T4 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN012-80BS,118 | A3t-STB120NF10T4 | ||
| 制造商 | Nexperia | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK | N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 148W | 312W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V | ||
| 输出电容 | 384pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 74A | 110A | ||
| 系列 | - | STripFET™ II | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 2782pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5200pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 233nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ@10V | 10.5m Ohms@60A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 11mΩ@10V 148W 175°C 3V 80V 74A |
￥9.6652
|
0 | 当前型号 | ||||
|
STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRFS3607TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13mΩ@43A,10V N-Channel 75V 82A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AOB288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V |
￥2.98
|
0 | 对比 | ||||
|
STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
