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PSMN012-80BS,118  与  IRFS3607PBF  区别

型号 PSMN012-80BS,118 IRFS3607PBF
唯样编号 A-PSMN012-80BS,118 A-IRFS3607PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 148W 140W(Tc)
输出电容 384pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 74A 80A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
输入电容 2782pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 11mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥7.9182
400+ :  ¥6.4903
800+ :  ¥5.6437
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN012-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 80V 74A

¥7.9182 

阶梯数 价格
200: ¥7.9182
400: ¥6.4903
800: ¥5.6437
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@10V

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IRF2807ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFS3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D2PAK

暂无价格 0 对比

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