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PSMN009-100P,127  与  IRFB4710PBF  区别

型号 PSMN009-100P,127 IRFB4710PBF
唯样编号 A-PSMN009-100P,127 A3-IRFB4710PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Single N-Channel 100 V 3.8 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W 3.8W(Ta),200W(Tc)
输出电容 620pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 75A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
输入电容 8250pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6160pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 5,950
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥14.0254
50+ :  ¥11.4962
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN009-100P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100P_SOT78

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 当前型号
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TO-220AB

暂无价格 30,000 对比
IRF3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥2.926 

阶梯数 价格
20: ¥2.926
50: ¥2.255
1,000: ¥1.87
18,131 对比
IRF540NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
50: ¥1.309
1,000: ¥1.089
11,783 对比
IRFB4710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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